REAL

Felületi reliefek kialakítása és alkalmazása amorf multirétegekben = Formation of surface reliefs on amorphous multilayers and its application

Kökényesi, Sándor Jenő and Csík, Attila and Iván, István and Mojzes, Imre and Szabó, István (2008) Felületi reliefek kialakítása és alkalmazása amorf multirétegekben = Formation of surface reliefs on amorphous multilayers and its application. Project Report. OTKA.

[img]
Preview
PDF
46758_ZJ1.pdf

Download (98Kb)

Abstract

Fényérzékeny amorf kalkogenid félvezetőkből fejlesztettünk ki különböző nanostrukturált multirétegeket, amelyek alkalmasok felületi optikai (elnyelés és törésmutató) valamint geometriai (lokális térfogatváltozás) mikro- és nanoreliefek egy lépésben történő kialakítására. A három és ötven nanométer közötti modulációs periódussal rendelkező multirétegekben összeillesztett anyagokat (As2S3, AsSe, GeS, SexTe1-x, Se, Te, Bi, Sb, SiOx) valamint a rétegek teljes vastagságát és a reliefet kialakító külső hatásokat (fény-, proton- deuteron-nyalábok, hőkezelés) módosítva kiválasztottuk az optimális paraméterekkel rendelkező struktúrákat és eljárásokat. Kimutattuk, hogy az ionok és a lézerfény hatására fellépő fotoindukált változások (részben reverzibilis sötétedés a különálló vastagrétegek optikai elnyelési él tartományaiban) valamint a nanomultirétegekben elsődlegesen irreverzibilis világosodást okozó interdiffúzió és az ezekkel összefüggő optikai- és térfogatváltozás sok tekintetben hasonlók és a hőcsúcs jelenségként írhatók le egy modell keretében. Megmutattuk, hogy a kifejlesztett struktúrákon 200-500 nm laterális felbontással időben stabil, 10-200 nm magas és megváltozott törésmutatóval, optikai elnyeléssel rendelkező reliefek írhatók direkt módban és alkalmazhatók optikai adattárolásra, optoelektronikai elemek kialakítására. | Different nanostructured multilayers were developed on the basis of light-sensitive amorphous chalcogenide semiconductors which are applicable for a direct fabrication of surface optical (absorption and refractive index) as well as geometrical (local expansion) micro- and nanoreliefs. Changing the materials (As2S3, AsSe, GeS, SexTe1-x, Se, Te, Bi, Sb, SiOx) combined in the multilayers with modulation periods between three and fifty nanometers as well as the total thickness of the layers and the external influences used for the relief fabrication ( light-, proton-, deuteron-beams, heat treatment) we have selected structures and processes with optimum parameters. It was established, that the photo-induced effects under the laser illumination (partially reversible darkening in the spectral range of optical absorption edge of the separate thick layers) as well as the irreversible bleaching due to the interdiffusion in the nanomultilayers and the related optical and volume changes are similar in many aspects and may be described in the framework of the thermal spike model. It was shown, that 10-200 nm high relief with changed optical absorption and refractive index can be recorded in a direct mode with 200-500 nm lateral resolution in the developed structures and applied for optical storage, formation of elements for optoelectronics.

Item Type: Monograph (Project Report)
Uncontrolled Keywords: Elektronikus Eszközök és Technológiák, multiréteg
Subjects: T Technology / alkalmazott, műszaki tudományok > TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering / elektrotechnika, elektronika, atomtechnika
Depositing User: Mr. Andras Holl
Date Deposited: 08 May 2009 11:00
Last Modified: 30 Nov 2010 17:22
URI: http://real.mtak.hu/id/eprint/1569

Actions (login required)

View Item View Item