Félvezető egykristályok felületi roncsolt réteg szerkezetének vizsgálata. A csiszolás hatása = Investigation of the Destroyed Layer Structure on the Surface of Semiconductor Monocrystals

Rózsa, Éva and Stefániay, Vilmos (1969) Félvezető egykristályok felületi roncsolt réteg szerkezetének vizsgálata. A csiszolás hatása = Investigation of the Destroyed Layer Structure on the Surface of Semiconductor Monocrystals. MŰSZAKI TUDOMÁNY : A MAGYAR TUDOMÁNYOS AKADÉMIA MŰSZAKI TUDOMÁNYOK OSZTÁLYÁNAK KÖZLEMÉNYEI, 42 (3-4). pp. 357-371. ISSN 0027-5085

Preview

Text 365_PDFsam_MUSZTUD_42.pdf - Published Version Download (3MB) | Preview

Abstract

A szerzők a félvezető egykristályok felületén csiszolás hatására keletkezett roncsolt réteg szerkezetével, kiterjedésével és vizsgálati módszereivel foglalkoznak. Beszámolnak röntgendiffrakciós eljárásokkal végzett vizsgálataikról, amelyek során {111} orientációjú germánium és szilícium lemezeken tanulmányozták a roncsolt réteg szerkezetét, ill. vastagságát. Hasonlóképpen röntgendiffrakciós úton mérték a szeleteken kialakult mechanikai hatás okozta görbület mértékét és beszámolnak arról, hogy összefüggéseket találtak a görbületi sugár nagysága és a csiszoló eljárás minősége között. | The authors deal with the structure and the extent of the layer destroyed by grinding on the surface of semiconductor monocrystals and the related investigation methods. They present the results of their X-ray diffractiometric examinations of the structuré and the thickness of the damaged layer on {lll}-oriented germanium and silicon plates. In a similar way they measured by X-ray diffractiometry the curvature of the slices caused by mechanical action and report on relationships between the radius of curvature arid the quality of the grinding operation.

Actions (login required)

Edit Item