Külső és belső villamostér hatása adalékanyagok diffúziójára félvezetőkben

Boltax, B. I. and Dzsafarov, T. D. (1968) Külső és belső villamostér hatása adalékanyagok diffúziójára félvezetőkben. MŰSZAKI TUDOMÁNY : A MAGYAR TUDOMÁNYOS AKADÉMIA MŰSZAKI TUDOMÁNYOK OSZTÁLYÁNAK KÖZLEMÉNYEI, 40 (1-4). pp. 137-149. ISSN 0027-5085

Preview

Text 139_PDFsam_MUSZTUD_40.pdf - Published Version Download (3MB) | Preview

Abstract

Szerzők a külső állandó villamostérbe helyezett félvezetőkben a diffundáló adalékanyag részecskék és a szabad töltéshordozók közötti kölcsönhatás kérdéseit vizsgálják, és ismertetik a szilíciumban, galliumarzenidben és indiumarzenidhen végzett elektrodiffóziós vizsgálatok kísérleti eredményeit. A vizsgált félvezetőkben az adalékanyagok elektrodiffúziójára kapott adatok jó egyezést mutatnak az adalékanyag-részecskék és a szabad töltéshordozók közötti kölcsönhatás-effektus elméletével. Foglalkoznak továbbá az ionizált adalékanyagok inhomogén eloszlása miatt fellépő belső, helyi villamostér hatásával a diffúziós folyamatokra. Az inhomogén germániumba történő antimon diffúzióval kapcsolatos tapasztalatok azt mutatták, hogy a belső villamosterek lényegesen megváltoztatják az adalékanyagok mozgássebességét. Ezek a terek az őket létrehozó adalékanyag koncentráció-gradiens irányától függően gyorsíthatják vagy lassíthatják a diffúziót. A hőmérséklet növekedésével — az intrinsic töltéshordozók koncentrációjának növekedése mértékében — a belső térerősség csökken.

Actions (login required)

Edit Item