Lukács, József (1966) Si—SiC, p—n heteroátmenetek. MŰSZAKI TUDOMÁNY : A MAGYAR TUDOMÁNYOS AKADÉMIA MŰSZAKI TUDOMÁNYOK OSZTÁLYÁNAK KÖZLEMÉNYEI, 37 (1-2). pp. 207-211. ISSN 0027-5085
|
Text
211_PDFsam_MUSZTUD_37.pdf - Published Version Download (1MB) | Preview |
Abstract
Á tanulmány a Si—SiC, p—n heterokötések létrehozásának lehetőségeit vizsgálja, és ismerteti a heteroátmenetek energiasáv-diagramjának felvételére végzett kísérleteket. Az eredmények alapján megállapítható, hogy a Si—SiC heterokötésben az n—re+ átmenettel érhető el a legkedvezőbb egyenirányító karakterisztika.
| Item Type: | Article |
|---|---|
| Subjects: | T Technology / alkalmazott, műszaki tudományok > T2 Technology (General) / műszaki tudományok általában |
| Depositing User: | Simon Isztray |
| Date Deposited: | 02 Sep 2024 07:48 |
| Last Modified: | 02 Sep 2024 07:48 |
| URI: | https://real.mtak.hu/id/eprint/204034 |
Actions (login required)
 |
Edit Item |
