Hidrosztatikus nyomással kiváltott elektronszerkezeti változások szilárd testekben = Hydrostatic pressure induced changes in the electronic structure of solids

MIHÁLY, György and Csonka, Szabolcs and Csontos, Miklós and Demkó, László and Halbritter, András and Kézsmárki, István (2010) Hidrosztatikus nyomással kiváltott elektronszerkezeti változások szilárd testekben = Hydrostatic pressure induced changes in the electronic structure of solids. Project Report. OTKA.

PDF 62441_ZJ1.pdf Download (806kB)

Abstract

A pályázat célkitűzése volt fázisátalakuláshoz közeli rendszerek paramétereinek finom hangolása hidrosztatikus nyomás alkalmazásával, valamint az egyes fázisok jellemzése nyomás alatt végzett elektromos és mágneses mérésekkel. A nyomás elsődleges hatása az átfedési integrálok módosítása, különösen az általunk vizsgált rendszerek irányított pályái esetén. Ennek az egyik alapvető következménye a korrelált elektronrendszerek nyomás által indukált fém-szigetelő átmenete. Ezt a jelenségkört a BaVS3 d-elektron rendszerén, valamint kolosszális mágneses ellenállást mutatató manganátokban tanulmányoztuk. Nyomás hatására erősödik a mágneses félvezetők lokalizált momentumai közti csatolás, így a nyomás függvényében végzett kísérletek egyedülálló lehetőséget biztosítottak a ferromágneses fázis kialakulásának megértéséhez. A nagy mágneses terű mágnesezettség mérésekhez épített, magnetooptikai Kerr-effektuson alapuló mérőrendszerrel a mágnesezettséget 10-200 nm vastagságú rétegeken is nagy pontossággal meg tudtuk határozni. Az anomális Hall jel és a mágnesezettség között kísérletileg kimutatott skálatörvénnyel igazoltuk, hogy az anomális Hall jel térfüggése a mágnesesen felhasadt sávok eltolódásától származik. Az eredményeket 10 tudományos közleményben publikáltuk, összesített impakt-faktoruk: 41.770. A publikációk pdf formában letölthetők erről az internet címről: http://dept.phy.bme.hu/K62441 | The aim of the project was to fine tune the microscopic parameters by application of hydrostatic pressure in materials that are in the vicinity of a phase transition, and to characterize the various phases by transport and magnetic measurements. The primary effect of the pressure is the modification of the wave function overlap, especially in case of the oriented orbitals characteristic to the materials studied in the project. A basic consequence is the pressure induced insulator-metal transition. We have investigated this phenomenon in the d- electron system of BaVS3, as well as in various manganates exhibiting colossal magnetoresistance (CMR). The application of pressure enhances the coupling between the localized moments in magnetic semiconductors, and thus supplied unique opportunities to study the development of ferromagnetism in these systems. In order to determine the magnetization of 10-200 nm thin (In,Mn)Sb films we have developed a sensitive MOKE technique (magnetooptical Kerr effect). We have established a scaling relation between the anomalous Hall effect (AHE) and the magnetization, and demonstrated that the field dependence of the AHE is due to the shift of the magnetically split bands. The results were published in 10 papers, the cumulative impact factor of 41.770. The publications can be downloaded from http://dept.phy.bme.hu/K62441

Actions (login required)

Edit Item