Extended defects in III-V semiconductor compounds

Ferenczi, G. and Dózsa, László (1981) Extended defects in III-V semiconductor compounds. CRYSTAL RESEARCH AND TECHNOLOGY, 16 (2). pp. 203-208. ISSN 0232-1300

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Abstract

A new class of defects characterized by inherent non-exponential capture and emission processes was observed. A theory – based on the potential barrier model – is proposed to describe the measured DLTS and capacitance transient data. It is argued that these defects are related to dislocations or dislocation generated lattice defects. | Eine neue Art von Störstellen, welche durch nicht-exponenzielle Einfang- und Emissionsprozesse gekennzeichnet ist, wurde beobachte. Zur Interpretierung der gemessenen DLTS und Kapazität-Abkling Angaben wird eine auf dem sogenannten Potentialbarriere-Modell beruhende Theorie vorgeschlagen. Die untersuchten Störstellen scheinen mit Versetzungen oder durch Versetzungen induzierten Gitterleerstellen verbunden zu sein.

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